商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | IGBT模块 | |
| 耗散功率(Pd) | 1kW | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 650V | |
| 集电极电流(Ic) | 378A | |
| 集电极脉冲电流(Icm) | 810A | |
| 集电极截止电流(Ices) | - | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 1.09V | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 4.8V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 1.763uC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Cies) | - | |
| 输出电容(Coes) | - | |
| 反向传输电容(Cres) | - | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 60ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 520ns | |
| 导通损耗(Eon) | 1.1mJ | |
| 关断损耗(Eoff) | 9.7mJ | |
| 反向恢复时间(Trr) | 79ns | |
| 工作温度 | -40℃~+175℃ |
商品特性
- 沟槽IGBT技术
- 采用第四代FRED Pt技术的反并联二极管,具有超软反向恢复特性
- 极低的导通损耗
- Al2O3 DBC基板
- 通过UL认证,文件号E78996
- 专为工业级应用设计
- 材料分类:符合性定义请参见www.vishay.com/doc?99912


