- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | - | |
| 耗散功率(Pd) | 789W | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 650V | |
| 集电极电流(Ic) | 280A | |
| 集电极脉冲电流(Icm) | 750A | |
| 集电极截止电流(Ices) | - | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 1.07V | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 4.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 1.408uC@520V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Cies) | - | |
| 输出电容(Coes) | - | |
| 反向传输电容(Cres) | - | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 37ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 459ns | |
| 导通损耗(Eon) | 700uJ | |
| 关断损耗(Eoff) | 7.2mJ | |
| 反向恢复时间(Trr) | 79ns | |
| 工作温度 | -40℃~+175℃ |
商品特性
- 沟槽IGBT技术
- 第4代FRED P*技术，反并联二极管无铅，具有超软反向恢复特性，符合RoHS标准
- 极低的传导损耗
- A₂O₃ DBC
- UL认证文件编号E78996
- 专为工业级别设计
- 材料分类：有关合规定义，请参阅相关文档