- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
VS-GT200TP065U
VS-GT200TP065U
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- VS-GT200TP065U
- 商品编号
- C20039229
- 商品封装
- INT-A-PAK
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | IGBT模块 | |
| 耗散功率(Pd) | 429W | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 650V | |
| 集电极电流(Ic) | 177A | |
| 集电极脉冲电流(Icm) | 570A | |
| 集电极截止电流(Ices) | - | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 1.9V | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 476nC@15V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Cies) | - | |
| 输出电容(Coes) | - | |
| 反向传输电容(Cres) | - | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 79ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 306ns | |
| 导通损耗(Eon) | 2.34mJ | |
| 关断损耗(Eoff) | 3.77mJ | |
| 反向恢复时间(Trr) | 73ns | |
| 工作温度 | -40℃~+175℃ |
商品特性
- 沟槽式IGBT
- 极低的VCE(on)
- 正的VCE(on)温度系数
- FRED P（R）反并联二极管，低Qrr和低开关能量
- 行业标准封装
- TJ = 175 °C