- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | - | |
| 耗散功率(Pd) | 517W | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 650V | |
| 集电极电流(Ic) | 185A | |
| 集电极脉冲电流(Icm) | 660A | |
| 集电极截止电流(Ices) | - | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 1.05V | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 4.8V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 894nC@15V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Cies) | - | |
| 输出电容(Coes) | - | |
| 反向传输电容(Cres) | - | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 23ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 367ns | |
| 导通损耗(Eon) | 400uJ | |
| 关断损耗(Eoff) | 4.5mJ | |
| 反向恢复时间(Trr) | 79ns | |
| 工作温度 | -40℃~+175℃ |
商品特性
- 沟槽 IGBT 技术
- 第 4 代 FRED P* 技术，具有超软反向恢复特性的反并联二极管
- 极低的传导损耗
- Al₂O₃ DBC
- UL 认证编号 E78996
- 专为工业级设计