温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准

NCP5109BDR2G-JSM

250V集成自举的单相高低侧功率栅极驱动芯片

SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样

描述: 250V，死区时间：100ns，电机驱动
品牌名称: JSMSEMI(杰盛微)
商品型号: NCP5109BDR2G-JSM
商品编号: C19673775
商品封装: SOP-8
包装方式: 编带
商品毛重: 0.1克(g)

商品参数

商品概述

NCP5109B是一款高压、高速功率MOSFET高低侧驱动芯片。具有独立的高侧和低侧参考输出通道。采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单芯片集成，逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平，输出具有大电流脉冲能力。其浮动通道可用于驱动高压侧N沟道功率MOSFET，浮地通道最高工作电压可达250V。集成有自举二极管，对高侧进行充电，简化了芯片外围电路。采用SOP-8封装，可以在 -40°C至125°C温度范围内工作。

商品特性

自举工作的浮地通道
最高工作电压为 +250V
兼容 3.3V,5V 和 15V 输入逻辑
dV/dt 耐受能力可达 ±50 V/ns
Vs 负偏压能力达 -9V
栅极驱动电压从 10V 到 20V
防直通死区逻辑
- 死区时间设定 100ns
集成欠压锁定电路
- 欠压锁定正向阈值 8.9V
- 欠压锁定负向阈值 8.2V
芯片传输延时特性
- 开通/关断传输延时Ton/Toff = 150ns/150ns
- 延迟匹配时间小于 60ns
宽温度范围 -40°C~125°C
输出级拉电流/灌电流能力290mA/600mA
集成自举二极管
符合 RoSH 标准
SOP-8

应用领域

电机控制
空调/洗衣机
通用逆变器
微型逆变器驱动

数据手册PDF

放大查看下载PDF

优惠活动

购买数量

(4000个/圆盘，最小起订量 1 个)

个

起订量：1 个4000个/圆盘

总价金额：

￥ 0.00

近期成交1单

	属性	参数值
	商品目录	栅极驱动芯片
	驱动配置	半桥
	负载类型	MOSFET
	驱动通道数	2
	灌电流(IOL)	600mA
	拉电流(IOH)	290mA

	属性	参数值
	工作电压	10V~20V
	上升时间(tr)	70ns
	下降时间(tf)	30ns
	特性	欠压保护(UVP)
	工作温度	-40℃~+125℃
	静态电流(Iq)	120uA