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AO3416A-HXY
N沟道 20V 6A
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- 描述
- 这款N沟道消费级MOSFET采用小型SOT-23封装，专为20V电压下中等电流应用设计。额定连续电流高达6A，适用于电源转换、负载开关和电池管理系统，具备低导通电阻和卓越的热性能，是现代便携式电子设备的理想功率管理组件。
- 商品型号
- AO3416A-HXY
- 商品编号
- C19631196
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.034267克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 14mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.4W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 700mV |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 8nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 660pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 87pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 160pF |
商品特性
- VDS = 20V,ID = 6A
- 当VGS = 4.5V时,RDS(ON) < 21mΩ
- 当VGS = 2.5V时,RDS(ON) < 35mΩ
- 人体模型静电放电(HBM)耐受电压为2000V
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源
- SOT - 23封装
- N沟道MOSFET
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