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AO3415A-HXY实物图
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AO3415A-HXY

N沟道 耐压:20V 电流:4.1A

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描述
该P沟道消费级MOSFET采用紧凑型SOT-23封装,专为20V电压下的高效能应用设计。额定连续电流5A,尤其适用于电源转换、电池保护和负载开关控制,具备低导通电阻与优良热性能,是现代电子设备理想的低电压功率管理元件。
商品型号
AO3415A-HXY
商品编号
C19630788
商品封装
SOT-23​
包装方式
编带
商品毛重
0.0363克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量-
漏源电压(Vdss)20V
连续漏极电流(Id)4.1A
导通电阻(RDS(on))45mΩ@4.5V,4A
耗散功率(Pd)1.4W
阈值电压(Vgs(th))900mV@250uA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)12nC@4.5V
输入电容(Ciss)950pF
反向传输电容(Crss)120pF
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道
输出电容(Coss)165pF

商品特性

  • -30V、-9A,在VGS = -10V时,RDS(ON) = 16mΩ
  • 快速开关
  • 有绿色环保器件可选
  • 适用于-4.5V栅极驱动应用

应用领域

  • 主板/显卡/Vcore
  • 负载点(POL)应用
  • 负载开关
  • LED应用

数据手册PDF