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SE30150G
MOSFET
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- 描述
- SE30150G采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于作为
- 品牌名称
- SINO-IC(光宇睿芯)
- 商品型号
- SE30150G
- 商品编号
- C19631229
- 商品封装
- DFN5X6-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.14525克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 150A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.5mΩ@45V | |
| 耗散功率(Pd) | 187W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 56.9nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.345nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 225pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 340pF |
商品特性
- 针对广泛应用进行优化
- N沟道，常电平
- 100%雪崩测试
- 无铅引脚镀层；符合RoHS标准
- 根据IEC61249-2-21标准无卤