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SE110NS65FR
N沟道增强型场效应晶体管
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- 品牌名称
- SINO-IC(光宇睿芯)
- 商品型号
- SE110NS65FR
- 商品编号
- C19631226
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 6.55克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 110A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 26mΩ@10V | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 195nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 8.52nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 21pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 574pF |
商品特性
- 根据IEC 61249-2-21定义为无卤产品
- 沟槽功率MOSFET
- 100%进行Rg和UIS测试
- 符合RoHS指令2002/95/EC
应用领域
- 电源开关-DC/DC转换器