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SE20NS65F
N沟道增强型MOSFET
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- 描述
- 高密度单元设计，实现超低导通电阻。具备完全表征的雪崩电压和电流。改善了直通品质因数。驱动要求简单。封装外形小。表面贴装器件
- 品牌名称
- SINO-IC(光宇睿芯)
- 商品型号
- SE20NS65F
- 商品编号
- C19631227
- 商品封装
- TO-220F
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.77克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 160mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 208W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 70nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.44nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 10pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 300pF |
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