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IKQ140N120CH7XKSA1
1200V TRENCHSTOP IGBT7技术
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- 描述
- 特性：VCE = 1200 V。 IC = 140 A。 最大结温 Tvjmax = 175℃。 同类最佳的高速 IGBT 与全额定电流、低 Qrr 和软换相高速二极管共封装。 低饱和电压 VCEsat = 1.7 V（Tvj = 25℃ 时）。 针对高速硬开关拓扑（2-L 逆变器、3-L NPC T 型等）的高效率进行了优化。应用：工业 UPS。 EV 充电
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IKQ140N120CH7XKSA1
- 商品编号
- C19631201
- 商品封装
- TO-247-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 6.8克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | FS(场截止) | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 1.2kV | |
| 集电极电流(Ic) | 175A | |
| 耗散功率(Pd) | 962W | |
| 输出电容(Coes) | 317pF | |
| 正向脉冲电流(Ifm) | 560A | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 2.15V@140A,15V | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 4.7V@2.24mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 970nC@15V | |
| 输入电容(Cies) | 18.5nF | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 68ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 541ns | |
| 导通损耗(Eon) | 8.84mJ | |
| 关断损耗(Eoff) | 3.38mJ | |
| 反向恢复时间(Trr) | 144ns | |
| 工作温度 | -40℃~+175℃ | |
| 反向传输电容(Cres) | 94pF |
商品特性
- VCE = 1200 V
- IC = 140 A
- 最大结温 Tvjmax = 175℃
- 同类最佳的高速 IGBT，与全额定电流、低 Qrr 和软换向高速二极管共封装
- 低饱和电压 VCEsat = 1.7 V（Tvj = 25℃ 时）
- 针对高速硬开关拓扑（2-L 逆变器、3-L NPC T 型等）的高效率进行了优化
- 由于 VCEsat 具有正温度系数，易于并联
- 无铅镀铅；符合 RoHS 标准
- 完整的产品系列和 PSpice 模型
应用领域
- 工业 UPS
- EV 充电
- 串式逆变器
- 焊接
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