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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

HMC349ALP4CE

高隔离度非反射SPDT射频开关,DC-4GHz

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描述
HMC349ALP4CE是一款高隔离度非反射DC至4GHzGaAsMESFETSPDT开关,采用低成本无引脚表面贴装封装。该开关适用于蜂窝/PCS/3G基站应用,提供60到65dB的隔离度,0.9dB的插入损耗和+53dBm的输入IP3。其功率处理能力在3.5GHzWLL频段内表现优秀,压缩点为+31dBm。片上电路允许单个正电压控制(0/+5V)在非常低的直流电流下工作。启用输入(EN)设置为逻辑高电平时,开关将处于“全部关闭”状态。
品牌名称
ADI(亚德诺)
商品型号
HMC349ALP4CE
商品编号
C207982
商品封装
QFN-16-EP(4x4)​
包装方式
编带
商品毛重
1.1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录射频开关
频率-
隔离度62dB
属性参数值
插入损耗1.4dB
工作电压4.5V~5.5V
工作温度-40℃~+85℃

商品概述

HMC349ALP4CE是一款高隔离、非反射式、直流至4 GHz的砷化镓(GaAs)金属半导体场效应晶体管(MESFET)单刀双掷(SPDT)开关,采用低成本无引脚表面贴装封装。该开关非常适合蜂窝/个人通信系统(PCS)/3G基站应用,可实现60至65 dB的隔离度、低至0.9 dB的插入损耗以及+53 dBm的输入三阶交调截点(IP3)。在高达3.5 GHz的无线本地环路(WLL)频段内,该开关的功率处理能力出色,其1 dB压缩点(P1dB)为+31 dBm。片上电路允许在极低直流电流下通过0/+5 V的单正电压进行控制。使能输入(EN)设置为逻辑高电平时,开关将处于“全关”状态。

商品特性

  • 高隔离度:1 GHz时为67 dB,2 GHz时为62 dB
  • 单正电压控制:0/+5 V
  • 输入三阶交调截点(IP3):+53 dBm
  • 非反射式设计
  • 全关状态
  • 16 mm²无引脚四方扁平无引脚封装(QFN)表面贴装封装

应用领域

  • 基站基础设施
  • 多点多信道分布式系统(MMDS)和3.5 GHz无线本地环路(WLL)
  • 有线电视(CATV)/电缆调制解调器终端系统(CMTS)
  • 测试仪器

数据手册PDF