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HMC218BMS8GE
GaAs MMIC DBL-BAL 混频器, 3.5 - 8 GHz
- 描述
- HMC218BMS8GE 是一款超微型双平衡混频器，采用8引脚塑料表面贴装封装（MSOP）。这款无源MMIC混频器由GaAs肖特基二极管和芯片上的新型平面变压器巴伦组成。该设备可用作上变频器、下变频器、双相调制器/解调器或相位比较器。
- 品牌名称
- ADI(亚德诺)
- 商品型号
- HMC218BMS8GE
- 商品编号
- C207985
- 商品封装
- MSOP-8-EP
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.2克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | RF混频器 | |
| RF频率范围 | 3.5GHz~8GHz | |
| IF频率范围 | 0MHz~1.6GHz | |
| LO频率范围 | 3.5GHz~8GHz | |
| P1dB | 11dBm |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| IP3 | 17dBm | |
| 隔离度(L-R) | 42dB | |
| 隔离度(L-I) | 40dB | |
| 增益/损耗 | 9dB | |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ |
商品概述
HMC218BMS8GE是一款超小型双平衡混频器，采用8引脚塑料表面贴装封装（MSOP）。这款无源MMIC混频器由砷化镓肖特基二极管和芯片上的新型平面变压器巴伦构成。该器件可用作上变频器、下变频器、双相调制器/解调器或相位比较器。当用作3.5至8 GHz的下变频器以及4.5至8 GHz的上变频器时，这款混频器性能出色。低转换损耗、高隔离度和宽中频带宽使该混频器非常适合各种接收和发射频率方案。
商品特性
- 无源双平衡拓扑结构
- 输入三阶交调截点（IP3）：+17 dBm
- 低转换损耗：7 dB
- 本振（LO）至射频（RF）隔离度：38 dB
- 本振（LO）至中频（IF）隔离度：32 dB
- 适用于上变频器和下变频器应用
应用领域
- 基站、中继器和接入点
- WiMAX、WiBro和固定无线通信
- 便携式设备和用户端设备
- 专用陆地移动无线电（PLMR）、公共安全和远程信息处理