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HMC435AMS8GETR

SPDT非反射式开关，DC - 4 GHz

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描述: SPDT非反射式开关，DC-4GHz
品牌名称: ADI(亚德诺)
商品型号: HMC435AMS8GETR
商品编号: C208129
商品封装: MSOP-8-EP
包装方式: 编带
商品毛重: 0.105克(g)

商品概述

HMC435AMS8G(E) 是一款非反射型直流至 4 GHz 的砷化镓（GaAs）MESFET 单刀双掷（SPDT）开关，采用低成本的 8 引脚 MSOP8G 表面贴装封装，带有外露接地焊盘。该开关非常适合蜂窝/3G 和 WiMAX/4G 应用，可实现高达 60 dB 的隔离度、低至 0.8 dB 的插入损耗和 +50 dBm 的输入三阶交调截点（IP3）。在高达 3.8 GHz 的 WiMAX 频段内，该开关的功率处理能力出色，P1dB 压缩点为 +30 dBm。片上电路允许在极低直流电流下进行 0/+5 伏的正电压控制。

商品特性

高隔离度：1 GHz 时为 62 dB，2 GHz 时为 52 dB
单正电压控制：0/+5V
输入 IP3：54 dBm
非反射型设计
超小 MSOP-8G 封装：14.8 mm²

应用领域

基站与中继器
蜂窝/3G 和 WiMAX/4G
基础设施和接入点
有线电视/电缆调制解调器终端系统（CATV/CMTS）
测试仪器

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	属性	参数值
	商品目录	射频开关
	频率	0Hz~4GHz
	隔离度	48dB

	属性	参数值
	插入损耗	0.8dB
	工作电压	5V
	工作温度	-40℃~+85℃