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ADUM4135BRWZ
单通道高压隔离IGBT门极驱动器
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- 描述
- 提供米勒箝位的单电源/双电源高电压隔离IGBT栅极驱动器
- 品牌名称
- ADI(亚德诺)
- 商品型号
- ADUM4135BRWZ
- 商品编号
- C207428
- 商品封装
- SOIC-16-300mil
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 0.836克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 数字隔离器 | |
| 正向通道数 | 1 | |
| 反向通道数 | - | |
| 最大数据速率 | - | |
| 默认输出 | 高电平 | |
| 隔离电压(Vrms) | 5000 |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| CMTI(kV/us) | 100kV/us | |
| 工作温度 | -40℃~+125℃ | |
| 工作电压(VCCA) | 2.3V~6V | |
| 工作电压(VCCB) | 12V~30V | |
| 传播延迟(tpd) | 66ns |
商品概述
ADuM4135是一款单通道栅极驱动器，专门针对驱动绝缘栅双极型晶体管（IGBT）进行了优化。iCoupler技术实现了输入信号与输出栅极驱动之间的隔离。 ADuM4135包含一个米勒钳位电路，当栅极电压降至2 V以下时，可通过单轨电源实现可靠的IGBT关断。无论是否启用米勒钳位功能，该驱动器都可使用单极性或双极性次级电源。 芯片级变压器还能在芯片的高压和低压区域之间实现控制信息的隔离通信。可通过专用输出端读取芯片的状态信息。在次级侧出现故障后，可在器件的初级侧对器件进行复位控制。 ADuM4135集成了一个退饱和检测电路，可防止IGBT在高压短路情况下工作。退饱和保护功能具备降噪特性，例如在开关事件发生后设置300 ns的屏蔽时间，以屏蔽初始导通时产生的电压尖峰。内部500 μA电流源可减少器件数量，若需要更高的抗噪能力，内部消隐开关可外接一个外部电流源。 考虑到常见的IGBT阈值电平，次级欠压锁定（UVLO）设置为11 V。
商品特性
- 4 A峰值驱动输出能力
- 输出功率器件电阻：<1 Ω
- 退饱和保护 隔离式退饱和故障报告 故障时软关断
- 带栅极检测输入的米勒钳位输出
- 隔离式故障和就绪功能
- 低传播延迟：典型值55 ns
- 最小脉冲宽度：50 ns
- 工作温度范围：-40℃至+125℃
- 输出电压范围可达30 V
- 输入电压范围为2.3 V至6 V
- 输出和输入欠压锁定（UVLO）
- 爬电距离：最小7.8 mm
- 100 kV/μs共模瞬态抗扰度（CMTI）
- 600 V rms或1092 V dc工作电压下20年使用寿命
- 安全和法规认证（待批准） 符合UL 1577标准，1分钟5 kV交流耐压 CSA组件验收通知5A DIN V VDE V 0884-10（VDE V 0884-10）:2006-12 V峰值（加强/基本）
应用领域
- MOSFET/IGBT栅极驱动器
- 光伏逆变器
- 电机驱动器
- 电源