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DF2B6.8M1ACT,L3F
ESD 5V截止 峰值浪涌电流：2.5A@8/20us
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- 描述
- DF2B6.8M1ACT是一款瞬态电压抑制（TVS）二极管（静电放电保护二极管），用于保护移动设备接口及其他应用中的半导体器件，使其免受静电和噪声影响。DF2B6.8M1ACT凭借低动态电阻，能为后端电路提供良好的保护。此外，其低电容特性使其非常适合高速信号应用。DF2B6.8M1ACT采用超紧凑型封装（1.0 mm×0.6 mm），适用于对占用空间要求较小的应用。
- 品牌名称
- TOSHIBA(东芝)
- 商品型号
- DF2B6.8M1ACT,L3F
- 商品编号
- C1974534
- 商品封装
- CST-2
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.036克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 静电和浪涌保护(TVS/ESD) | |
| 反向截止电压(Vrwm) | 5V | |
| 钳位电压 | 20V | |
| 峰值脉冲电流(Ipp) | 2.5A@8/20us | |
| 峰值脉冲功率(Ppp) | 50W@8/20us |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 击穿电压 | 11V | |
| 反向电流(Ir) | 500nA | |
| 防护等级 | IEC 61000-4-2 | |
| 类型 | ESD | |
| Cj-结电容 | 0.3pF |
商品概述
DF2B6.8M1ACT是一款瞬态电压抑制（TVS）二极管（静电放电保护二极管），用于保护移动设备接口及其他应用中的半导体器件，使其免受静电和噪声影响。 DF2B6.8M1ACT凭借低动态电阻，能为后端电路提供良好的保护。 此外，其低电容特性使其非常适合高速信号应用。 DF2B6.8M1ACT采用超紧凑型封装（1.0 mm×0.6 mm），适用于对占用空间要求较小的应用。
商品特性
- 适用于5.0 V信号线。（VRWM ≤ 5.0 V）
- 具备高静电放电防护性能，可保护器件。（依据IEC61000 - 4 - 2标准，接触放电VESD = ±12 kV，空气放电VESD = ±15 kV）
- 低动态电阻可保护半导体器件免受静电和噪声影响。（典型RDYN = 0.8 Ω）
- 紧凑型封装适用于移动设备等高密度电路板布局。（尺寸为1.0 mm×0.6 mm，昵称：CST2）
应用领域
- 移动设备
- 智能手机
- 平板电脑
- 笔记本电脑
- 台式电脑
优惠活动
购买数量
(10000个/圆盘，最小起订量 5 个)个
起订量：5 个10000个/圆盘
总价金额：
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