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DF2S6M4CT,L3F

ESD 5.5V截止峰值浪涌电流：2A@8/20us

描述: DF2S6M4CT是一款TVS二极管（ESD保护二极管），用于保护移动设备接口及其他应用中的半导体器件，使其免受静电和噪声影响。DF2S6M4CT利用回滞特性，具备低动态电阻和卓越的保护性能。此外，其低电容性能使其非常适合高速信号应用。DF2S6M4CT采用超紧凑型封装（1.0 mmx0.6 mm），可满足对占用空间要求较小的应用需求。
品牌名称: TOSHIBA(东芝)
商品型号: DF2S6M4CT,L3F
商品编号: C1976256
商品封装: CST-2
包装方式: 编带
商品毛重: 0.001克(g)

商品参数

商品概述

DF2S6M4CT是一款TVS二极管（ESD保护二极管），用于保护移动设备接口及其他应用中的半导体器件，使其免受静电和噪声影响。 DF2S6M4CT利用回滞特性，具备低动态电阻和卓越的保护性能。此外，其低电容性能使其非常适合高速信号应用。DF2S6M4CT采用超紧凑型封装（1.0 mmx0.6 mm），可满足对占用空间要求较小的应用需求。

商品特性

适用于5 V信号线。（VRWM≤5.5 V）
凭借高ESD性能保护器件。（VESD = ±20 kV（接触/空气）@IEC61000 - 4 - 2）
低动态电阻可保护半导体器件免受静电和噪声影响。（RDYN = 0.3Ω（典型值））
回滞特性实现低钳位电压，保护半导体器件。（VC = 9V @ IPP = 2 A（典型值）
紧凑型封装适用于移动设备等高密度电路板布局。尺寸为1.0 mmx0.6 mm

应用领域

移动设备
智能手机
平板电脑
笔记本电脑
台式电脑

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交货周期

订货3-5个工作日

购买数量

(10000个/圆盘，最小起订量 10000 个)

个

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近期成交6单

	属性	参数值
	商品目录	静电和浪涌保护(TVS/ESD)
	反向截止电压(Vrwm)	5.5V
	钳位电压	9V
	峰值脉冲电流(Ipp)	2A@8/20us
	峰值脉冲功率(Ppp)	30W@8/20us
	击穿电压	7V

	属性	参数值
	反向电流(Ir)	100nA
	工作温度	-
	防护等级	IEC 61000-4-2
	类型	ESD
	Cj-结电容	0.35pF