DF5G6M4N,LF
TVS 5.5V截止 2A峰值脉冲
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- 品牌名称
- TOSHIBA(东芝)
- 商品型号
- DF5G6M4N,LF
- 商品编号
- C1977043
- 商品封装
- DFN-5(0.8x1.3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.001克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 静电和浪涌保护(TVS/ESD) | |
| 反向截止电压(Vrwm) | 5.5V | |
| 钳位电压 | 10V | |
| 峰值脉冲电流(Ipp) | 2A@8/20us | |
| 峰值脉冲功率(Ppp) | 30W@8/20us |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 击穿电压 | 6.2V | |
| 反向电流(Ir) | 100nA | |
| 防护等级 | IEC 61000-4-2 | |
| 类型 | ESD | |
| Cj-结电容 | 0.2pF |
商品概述
DF5G6M4N 是一款 TVS 二极管（ESD 保护二极管），用于保护移动设备接口及其他应用中的半导体器件，防止静电和噪声干扰。 DF5G6M4N 利用回滞特性，具备低动态电阻和卓越的保护性能。此外，DF5G6M4N 是一款采用直插式设计的多位器件，便于电路板布局和安装。
商品特性
- 适用于 5 V 信号线。（VRWM ≤ 5.5 V）
- 凭借高 ESD 性能保护器件。（VESD = ±20 kV（接触 / 空气）@IEC61000 - 4 - 2）
- 低动态电阻可保护半导体器件免受静电和噪声影响。（RDYN = 0.8 Ω（典型值））
- 回滞特性实现低钳位电压，保护半导体器件。（VC = 10 V @IPP = 2 A（典型值））
- DF5G6M4N 是一款采用直插式设计的多位器件。（DFN5：尺寸为 1.3 mm×0.8 mm）
应用领域
- 移动设备
- 智能手机
- 平板电脑
- 笔记本电脑
- 台式电脑
优惠活动
购买数量
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