DF2B12M4SL,L3F
DF2B12M4SL,L3F
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- 品牌名称
- TOSHIBA(东芝)
- 商品型号
- DF2B12M4SL,L3F
- 商品编号
- C1977798
- 商品封装
- SMD
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.001克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 静电和浪涌保护(TVS/ESD) | |
| 反向截止电压(Vrwm) | 11V | |
| 钳位电压 | 22V | |
| 峰值脉冲电流(Ipp) | 1A@8/20us | |
| 峰值脉冲功率(Ppp) | - | |
| 击穿电压 | 16V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 反向电流(Ir) | 100nA | |
| 通道数 | 单路 | |
| 工作温度 | - | |
| 防护等级 | IEC 61000-4-2 | |
| 类型 | ESD | |
| Cj-结电容 | 0.2pF |
商品概述
DF2B12M4SL是一款TVS二极管（ESD保护二极管），用于保护移动设备接口及其他应用中的半导体器件，防止静电和噪声干扰。 DF2B12M4SL利用回滞特性，具备低动态电阻和卓越的保护性能。 此外，其低电容特性使其非常适合高速信号应用。DF2B12M4SL采用超紧凑封装（0.62 mm × 0.32 mm），满足对占用空间要求较小的应用需求。
商品特性
- 适用于10V信号线。（VRWM ≤ 11V）
- 凭借高ESD性能保护器件。（VESD = ± 15 kV（接触/空气） @ IEC61000 - 4 - 2）
- 低动态电阻可保护半导体器件免受静电和噪声影响。（RDYN = 0.65 Ω（典型值））
- 实现低钳位电压的回滞特性可保护半导体器件。（VC = 17 V @ IPP = 1 A（典型值））
- 紧凑封装适用于移动设备等高密度电路板布局。（0.62 mmx0.32 mm尺寸（昵称：SL2））
应用领域
-移动设备-智能手机-平板电脑-笔记本电脑-台式电脑