DF2S23P2CTC,L3F
DF2S23P2CTC,L3F
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- 品牌名称
- TOSHIBA(东芝)
- 商品型号
- DF2S23P2CTC,L3F
- 商品编号
- C1974973
- 商品封装
- CST-2-C
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.001克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 静电和浪涌保护(TVS/ESD) | |
| 反向截止电压(Vrwm) | 21V | |
| 钳位电压 | 35.7V | |
| 峰值脉冲电流(Ipp) | 14A@8/20us | |
| 峰值脉冲功率(Ppp) | 500W@8/20us | |
| 击穿电压 | 25.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 反向电流(Ir) | 100nA | |
| 工作温度 | - | |
| 防护等级 | IEC 61000-4-2 | |
| 类型 | ESD | |
| Cj-结电容 | 160pF |
商品概述
DF2S23P2CTC是一款瞬态电压抑制（TVS）二极管（静电保护二极管），用于保护移动设备接口及其他应用中的半导体器件，使其免受静电和噪声影响。 DF2S23P2CTC实现了高脉冲峰值电流（I_PP），可保护半导体器件免受间接雷击和过渡电压（电源启动时）的影响。 此外，DF2S23P2CTC采用超紧凑型封装（1.6mm×0.8mm），适用于对占用空间要求较小的应用。
商品特性
- 适用于20V信号线。（最大反向工作电压V_RWM ≤ 21V）
- 具备高静电放电（ESD）性能，可保护器件。（依据IEC 61000 - 4 - 2标准，接触/空气放电V_ESD = ± 30 kV）
- 低动态电阻可保护半导体器件免受静电和噪声影响。（典型动态电阻R_DYN = 0.13 Ω）
- 具备低钳位电压的快速响应特性，可保护半导体器件。（典型值：脉冲峰值电流I_PP = 14 A时，钳位电压V_C = 30 V）
- 紧凑型封装适用于移动设备等高密度电路板布局。（尺寸为1.6 mmx0.8 mm，昵称：CST2C）
应用领域
- 移动设备
- 智能手机
- 平板电脑
- 笔记本电脑
- 台式电脑