DF2S23P2CTC,L3F
DF2S23P2CTC,L3F
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- 品牌名称
- TOSHIBA(东芝)
- 商品型号
- DF2S23P2CTC,L3F
- 商品编号
- C1974973
- 商品封装
- CST-2-C
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.001克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 静电和浪涌保护(TVS/ESD) | |
| 反向截止电压(Vrwm) | 21V | |
| 钳位电压 | 35.7V | |
| 峰值脉冲电流(Ipp) | 14A@8/20us | |
| 峰值脉冲功率(Ppp) | 500W@8/20us | |
| 击穿电压 | 25.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 反向电流(Ir) | 100nA | |
| 工作温度 | - | |
| 防护等级 | IEC 61000-4-2 | |
| 类型 | ESD | |
| Cj-结电容 | 160pF |
商品概述
DF2S23P2CTC是一款TVS二极管（ESD保护二极管），用于保护移动设备接口及其他应用中的半导体器件，防止静电和噪声干扰。 DF2S23P2CTC实现了高IPP，可保护半导体器件免受间接雷击和过渡电压（电源启动时）的影响。 此外，DF2S23P2CTC采用超紧凑型封装（1.6 mm×0.8 mm），适用于对占用空间要求较小的应用场景。
商品特性
- 适用于20 V信号线。（VRWM ≤ 21 V）
- 凭借高ESD性能保护器件。（VESD = ±30 kV（接触/空气）@IEC61000 - 4 - 2）
- 低动态电阻可保护半导体器件免受静电和噪声干扰。（RDYN = 0.13 Ω（典型值））
- 具有回滞特性，可实现低钳位电压，保护半导体器件。（VC = 30 V @IPP = 14 A（典型值））
- 紧凑型封装适用于移动设备等高密度电路板布局。尺寸为1.6 mm×0.8 mm（昵称：CST2C）
应用领域
- 移动设备
- 智能手机
- 平板电脑
- 笔记本电脑
- 台式电脑
优惠活动
购买数量
(10000个/圆盘，最小起订量 1 个)个
起订量：1 个10000个/圆盘
总价金额：
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