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DF2S23P2FU,H3F
DF2S23P2FU,H3F
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- 描述
- 是一种TVS二极管（ESD保护二极管），可保护移动设备接口和其他应用中使用的半导体器件，免受静电和噪声影响。为保护半导体器件免受间接雷击和过渡电压（电源激活时）影响，实现了高IPP。此外，采用标准封装（2.5mm×1.25mm），可用于各种应用。
- 品牌名称
- TOSHIBA(东芝)
- 商品型号
- DF2S23P2FU,H3F
- 商品编号
- C1973790
- 商品封装
- SC-76(SOD-323)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.001克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 静电和浪涌保护(TVS/ESD) | |
| 反向截止电压(Vrwm) | 21V | |
| 钳位电压 | 35.7V | |
| 峰值脉冲电流(Ipp) | 14A@8/20us | |
| 峰值脉冲功率(Ppp) | 500W@8/20us | |
| 击穿电压 | 24.1V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 反向电流(Ir) | 100nA | |
| 通道数 | 单路 | |
| 工作温度 | - | |
| 防护等级 | IEC 61000-4-2 | |
| 类型 | ESD | |
| Cj-结电容 | 160pF |
商品概述
DF2S23P2FU是一款TVS二极管（ESD保护二极管），用于保护移动设备接口及其他应用中的半导体器件，使其免受静电和噪声影响。 DF2S23P2FU实现了高IPP，可保护半导体器件免受间接雷击和过渡电压（电源启动时）的影响。 此外，DF2S23P2FU采用标准封装（2.5 mm×1.25 mm），适用于各种应用。
商品特性
- 适用于20 V信号线。（VRWM≤21 V）
- 凭借高ESD性能保护器件。（VESD = ±30 kV（接触/空气）@IEC61000 - 4 - 2）
- 低动态电阻可保护半导体器件免受静电和噪声影响。（RDYN = 0.13 Ω（典型值））
- 低钳位电压特性可保护半导体器件免受静电和噪声影响。（VC = 30 V @IPP = 14 A（典型值））
- 紧凑封装适用于移动设备等高密度电路板布局。尺寸为2.5 mm×1.25 mm（昵称：USC）
应用领域
- 移动设备
- 智能手机
- 平板电脑
- 笔记本电脑
- 台式电脑
优惠活动
购买数量
(3000个/圆盘，最小起订量 5 个)个
起订量：5 个3000个/圆盘
总价金额：
￥ 0.00近期成交3单