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DF2S6P2FU,H3F实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

DF2S6P2FU,H3F

TVS 5.5V截止 峰值浪涌电流:80A@8/20us

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描述
DF2S6P2FU是一款瞬态电压抑制(TVS)二极管(静电放电保护二极管),用于保护移动设备接口及其他应用中的半导体器件,使其免受静电和噪声影响。为保护半导体器件免受间接雷击和过渡电压(电源启动时)的影响,DF2S6P2FU实现了高脉冲峰值电流(Ipp)。
品牌名称
TOSHIBA(东芝)
商品型号
DF2S6P2FU,H3F
商品编号
C1974448
商品封装
SC-76(SOD-323)​
包装方式
编带
商品毛重
0.028克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录静电和浪涌保护(TVS/ESD)
反向截止电压(Vrwm)5.5V
钳位电压18V
峰值脉冲电流(Ipp)80A@8/20us
峰值脉冲功率(Ppp)1.9kW@8/20us
击穿电压6.7V
属性参数值
反向电流(Ir)100nA
通道数单路
工作温度-
防护等级IEC 61000-4-2
类型TVS
Cj-结电容600pF

商品概述

DF2S6P2FU是一款TVS二极管(ESD保护二极管),用于保护移动设备接口及其他应用中的半导体器件,使其免受静电和噪声影响。 DF2S6P2FU实现了高Ipp,可保护半导体器件免受间接雷击和过渡电压(电源启动时)的影响。 此外,DF2S6P2FU采用标准封装(2.5mm×1.25mm),适用于各种应用。

商品特性

  • 适用于5.0V信号线。(VRWM ≤ 5.5V)
  • 凭借高ESD性能保护器件。(VESD = ±30kV(接触/空气)@ IEC61000 - 4 - 2)
  • 低动态电阻可保护半导体器件免受静电和噪声影响。(RDYN = 0.08Ω(典型值))
  • 低钳位电压特性可保护半导体器件免受静电和噪声影响。(VC = 18V @ IPP = 80A(典型值))
  • 紧凑封装适用于移动设备等高密度电路板布局。(2.5mmx1.25mm尺寸(昵称:USC))

应用领域

  • 移动设备
  • 智能手机
  • 平板电脑
  • 笔记本电脑
  • 台式电脑

数据手册PDF