DF2S6P2FU,H3F
TVS 5.5V截止 峰值浪涌电流:80A@8/20us
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- 描述
- DF2S6P2FU是一款瞬态电压抑制(TVS)二极管(静电放电保护二极管),用于保护移动设备接口及其他应用中的半导体器件,使其免受静电和噪声影响。为保护半导体器件免受间接雷击和过渡电压(电源启动时)的影响,DF2S6P2FU实现了高脉冲峰值电流(Ipp)。
- 品牌名称
- TOSHIBA(东芝)
- 商品型号
- DF2S6P2FU,H3F
- 商品编号
- C1974448
- 商品封装
- SC-76(SOD-323)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.028克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 静电和浪涌保护(TVS/ESD) | |
| 反向截止电压(Vrwm) | 5.5V | |
| 钳位电压 | 18V | |
| 峰值脉冲电流(Ipp) | 80A@8/20us | |
| 峰值脉冲功率(Ppp) | 1.9kW@8/20us | |
| 击穿电压 | 6.7V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 反向电流(Ir) | 100nA | |
| 通道数 | 单路 | |
| 工作温度 | - | |
| 防护等级 | IEC 61000-4-2 | |
| 类型 | TVS | |
| Cj-结电容 | 600pF |
商品概述
DF2S6P2FU是一款TVS二极管(ESD保护二极管),用于保护移动设备接口及其他应用中的半导体器件,使其免受静电和噪声影响。 DF2S6P2FU实现了高Ipp,可保护半导体器件免受间接雷击和过渡电压(电源启动时)的影响。 此外,DF2S6P2FU采用标准封装(2.5mm×1.25mm),适用于各种应用。
商品特性
- 适用于5.0V信号线。(VRWM ≤ 5.5V)
- 凭借高ESD性能保护器件。(VESD = ±30kV(接触/空气)@ IEC61000 - 4 - 2)
- 低动态电阻可保护半导体器件免受静电和噪声影响。(RDYN = 0.08Ω(典型值))
- 低钳位电压特性可保护半导体器件免受静电和噪声影响。(VC = 18V @ IPP = 80A(典型值))
- 紧凑封装适用于移动设备等高密度电路板布局。(2.5mmx1.25mm尺寸(昵称:USC))
应用领域
- 移动设备
- 智能手机
- 平板电脑
- 笔记本电脑
- 台式电脑
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