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ZXS2022A
P沟道增强型场效应晶体管
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- 品牌名称
- Zhengxin(正芯)
- 商品型号
- ZXS2022A
- 商品编号
- C19272202
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.172克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 13A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 26mΩ@1.8V,4.0A | |
| 耗散功率(Pd) | 3W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 72.8nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | - | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 330pF |
商品概述
- 沟槽功率中压MOSFET技术
- 采用高密度单元设计,实现低RDS(ON)
- 高速开关
应用领域
-电池保护-负载开关-电源管理