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CJU02N60
N沟道 耐压:600V 电流:2A
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- 描述
- 是N沟道模式功率MOSFET，采用先进技术提供平面条纹。该技术专门用于实现最小导通电阻和卓越的开关性能。还能在雪崩和换向模式下承受高能量脉冲。可普遍应用于高效开关模式电源。
- 品牌名称
- CJ(江苏长电/长晶)
- 商品型号
- CJU02N60
- 商品编号
- C19268976
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.4424克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.4Ω@10V,1A | |
| 耗散功率(Pd) | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 435pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 9.2pF | |
| 工作温度 | - | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 56pF |
商品概述
CJU40P03采用先进的沟槽技术和设计，在低栅极电荷的情况下可实现出色的导通电阻（RDS(on)）。它可用于多种应用场景。
商品特性
- 先进的沟槽工艺技术
- 可靠且耐用
- 高密度单元设计，实现超低导通电阻
应用领域
- 笔记本电脑的电源管理
- 便携式设备和电池供电系统