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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

CJU07N06

N沟道 耐压:60V 电流:7A

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描述
CJUo7N06采用先进的沟槽技术和设计,可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻Rps(on)。它可用于多种应用场景。
商品型号
CJU07N06
商品编号
C19269080
商品封装
TO-252-2L​
包装方式
编带
商品毛重
0.4272克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)7A
导通电阻(RDS(on))88mΩ@4.5V
耗散功率(Pd)15W
阈值电压(Vgs(th))2V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)14nC@4.5V
输入电容(Ciss)308pF
反向传输电容(Crss)20.2pF
工作温度-
类型N沟道
输出电容(Coss)22.6pF

商品概述

CJAB65N04采用先进的沟槽技术和设计,可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻RDS(ON)。它可用于多种应用场景。

商品特性

  • 散热性能良好的优质封装
  • 超低栅极电荷
  • 低反向传输电容
  • 快速开关能力
  • 规定雪崩能量

应用领域

  • 功率开关应用

数据手册PDF