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CJAC200SN04U
1个N沟道 耐压:40V 电流:200A
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- 描述
- N- 沟道增强型功率场效应晶体管采用SGT技术。这种先进技术经过专门设计，可最大限度地降低导通电阻，提供卓越的开关性能，并能在雪崩和换向模式下承受高能量脉冲。这些器件非常适合高效快速开关应用。
- 品牌名称
- CJ(江苏长电/长晶)
- 商品型号
- CJAC200SN04U
- 商品编号
- C19268993
- 商品封装
- PDFNWB5x6-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.1804克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 200A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.05mΩ@4.5V,30A | |
| 耗散功率(Pd) | 104W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 124nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 9.107nF@20V | |
| 反向传输电容(Crss) | 89pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | - |
商品特性
- 国际标准封装
- 具备非箝位电感开关（UIS）额定值
- 封装电感低
- 易于驱动和保护