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CJAC1R3SN04C
1个N沟道 耐压:40V 电流:190A
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- 描述
- N-沟道增强型功率场效应晶体管采用SGT技术。这种先进技术经过特别设计，可最大限度地降低导通电阻，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合高效快速开关应用。
- 品牌名称
- CJ(江苏长电/长晶)
- 商品型号
- CJAC1R3SN04C
- 商品编号
- C19269023
- 商品封装
- PDFNWB5x6-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.1962克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 190A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.4mΩ@4.5V,30A | |
| 耗散功率(Pd) | 96W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 78.5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 5.31nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 65pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.85nF |
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