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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

CJAB30N02

1个N沟道 耐压:20V 电流:30A

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描述
CJAB30N02采用先进的沟槽技术和设计,可在低栅极电荷情况下实现出色的导通电阻RDS(ON)。它可用于多种应用场景。
商品型号
CJAB30N02
商品编号
C19269051
商品封装
PDFNWB3.3x3.3-8L​
包装方式
编带
商品毛重
0.1174克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)20V
连续漏极电流(Id)30A
导通电阻(RDS(on))10.5mΩ@2.5V
耗散功率(Pd)25W
阈值电压(Vgs(th))1.5V@250uA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)30nC@4.5V
输入电容(Ciss)2.4nF
反向传输电容(Crss)455pF
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道
输出电容(Coss)475pF

商品概述

CJAB30N02采用先进的沟槽技术和设计,在低栅极电荷的情况下提供出色的漏源导通电阻(RDS(ON))。它可用于多种应用场景。

商品特性

-电池开关-负载开关-高密度单元设计,实现超低漏源导通电阻(RDS(ON))-具备完整的雪崩电压和电流特性-高雪崩能量(EAS),稳定性和一致性良好-采用散热性能出色的封装-特殊工艺技术,具备高ESD能力

应用领域

-开关电源和通用应用-硬开关和高频电路-不间断电源

数据手册PDF