温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
TM088N10S
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 10A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 88mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 12nC | |
| 输入电容(Ciss) | 610pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 25pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 40pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品概述
-低漏源导通电阻(Rds(ON))-符合RoHS标准且无卤
商品特性
- 漏源电压(VDS) = 100V,漏极电流(ID) = 10A
- 栅源电压(VGS) = 10V时,漏源导通电阻(RDS(ON)) = 88mΩ(典型值)
- 100%进行了非钳位感性开关(UIS)测试
- 100%进行了栅极电阻(Rg)测试
- 环保型
应用领域
-负载开关-脉冲宽度调制(PWM)