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TM015P02DF
P沟道增强型MOSFET
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- 描述
- 低导通电阻（RDS(ON)）。符合RoHS和无卤标准
- 品牌名称
- TMC(台懋)
- 商品型号
- TM015P02DF
- 商品编号
- C19189178
- 商品封装
- DFN3x3-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.1055克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 15mΩ@4.5V | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 700mV@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 15.3nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 2nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 231pF | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 242pF |
商品概述
- 低漏源导通电阻(Rds(ON))-符合RoHS标准且无卤
商品特性
- 漏源电压（VDS） = 100V，漏极电流（ID） = 10A
- 栅源电压（VGS） = 10V时，漏源导通电阻（RDS(ON)） = 88mΩ（典型值）
- 100%进行了非钳位感性开关（UIS）测试
- 100%进行了栅极电阻（Rg）测试
- 环保型
应用领域
- 负载开关-脉冲宽度调制(PWM)