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TM006P03NF
P沟道增强型MOSFET
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- 描述
- 特性：低RDS(ON)。 符合RoHS和无卤标准
- 品牌名称
- TMC(台懋)
- 商品型号
- TM006P03NF
- 商品编号
- C19189185
- 商品封装
- DFN-8(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.1816克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 9mΩ@4.5V；6mΩ@10V | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 45nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.32nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 487pF | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 529pF |
商品概述
- 低导通电阻RDS(ON)-符合RoHS标准且无卤
商品特性
- 漏源电压VDS = -20 V，漏极电流ID = -30 A
- 栅源电压VGS = -4.5 V时，导通电阻RDS(ON) = 15 mΩ（典型值）
- 100%进行非钳位感性负载开关（UIS）测试
- 100%进行栅极电阻Rg测试
应用领域
- 负载开关-脉冲宽度调制(PWM)