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TM024G04S
N+P沟道增强型MOSFET
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- 描述
- 低导通电阻。符合RoHS和无卤要求
- 品牌名称
- TMC(台懋)
- 商品型号
- TM024G04S
- 商品编号
- C19189194
- 商品封装
- SOP-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.1523克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8A；7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 24mΩ@10V；35mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.67W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V；2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 15.8nC@4.5V；5.5nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 593pF；1nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 56pF；100pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 160pF；76pF |
商品概述
- 低 RDS(on)
- 符合 RoHS 标准且无卤素
商品特性
- 100% 进行了单脉冲雪崩耐量（UIS）测试
- 100% 进行了栅极电阻（Rg）测试
应用领域
- 负载开关-脉冲宽度调制(PWM)