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TM017G04NF
TM017G04NF
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- 品牌名称
- TMC(台懋)
- 商品型号
- TM017G04NF
- 商品编号
- C19189197
- 商品封装
- PDFN-8L(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.1691克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V；40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A；20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 17mΩ@10V；33mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 22W；- | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V；1.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 12nC；20nC | |
| 输入电容(Ciss) | 633pF；1.034nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 79.5pF；58pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 107pF；67pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品概述
-低导通电阻RDS(ON)-符合RoHS标准且无卤
商品特性
- N沟道:
- 漏源电压VDS = 40 V,漏极电流ID = 20 A
- 栅源电压VGS = 10V时,导通电阻RDS(ON) = 17mΩ
- P沟道:
- 漏源电压VDS = -40 V,漏极电流ID = -20 A
- 栅源电压VGS = -10V时,导通电阻RDS(ON) = 33mΩ
- 100%进行了单脉冲雪崩耐量测试
- 100%进行了栅极电阻测试
应用领域
-负载开关-脉冲宽度调制(PWM)