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TM018V03S
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 连续漏极电流(Id) | 9A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 42mΩ@4.5V | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 12.6nC@4.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 1.345nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 158pF | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 194pF |
商品特性
- 沟槽功率MOSFET
- 175°C结温
- PWM优化
- 100%栅极电阻（Rg）测试
- 符合RoHS指令2002/95/EC
应用领域
- 初级侧开关