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TM028N06DF
N沟道增强型MOSFET
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- 描述
- 低导通电阻RDS(ON)。符合RoHS标准且无卤
- 品牌名称
- TMC(台懋)
- 商品型号
- TM028N06DF
- 商品编号
- C19189169
- 商品封装
- PDFN-8L(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.097446克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 28mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 31.3W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 19nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.027nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 46pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 65pF |
商品概述
- 低导通电阻RDS(ON)-符合RoHS标准且无卤
商品特性
- 漏源电压VDS = 60V，漏极电流ID = 80A
- 栅源电压VGS = 10V时，导通电阻RDS(ON) = 5.2 mΩ（典型值）
- 100%进行了单脉冲雪崩耐量测试
- 100%进行了栅极电阻测试
应用领域
- 负载开关-脉宽调制(PWM)