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TM0052N06NF
N沟道增强型MOSFET
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- 描述
- 低RDS(ON)。RoHS和无卤合规
- 品牌名称
- TMC(台懋)
- 商品型号
- TM0052N06NF
- 商品编号
- C19189170
- 商品封装
- DFN5x6-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.1784克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 80A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8.6mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 108W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 90nC | |
| 输入电容(Ciss) | 4.136nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 257pF | |
| 类型 | - | |
| 输出电容(Coss) | 286pF |
商品概述
这些N沟道增强型VDMOS场效应晶体管采用自对准平面技术制造，可降低传导损耗、改善开关性能并增强雪崩能量，符合RoHS标准。
商品特性
- 漏源电压VDS = 60V,漏极电流ID = 80A
- 栅源电压VGS = 10V时,导通电阻RDS(ON) = 5.2 mΩ(典型值)
- 100%进行了单脉冲雪崩耐量测试
- 100%进行了栅极电阻测试
应用领域
-负载开关-脉宽调制(PWM)