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TM0035N03DF
N沟道增强型MOSFET
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- 描述
- 低导通电阻RDS(ON)。符合RoHS和无卤标准
- 品牌名称
- TMC(台懋)
- 商品型号
- TM0035N03DF
- 商品编号
- C19189157
- 商品封装
- DFN-8(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.1051克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 100A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 62.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 45nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.1nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 282pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 326pF |
商品概述
这款MOSFET旨在最小化导通电阻 RDS(on)，同时保持卓越的开关性能，使其非常适合高效电源管理应用。
商品特性
-双N沟道MOSFET-低导通电阻-低输入电容-快速开关速度-低输入/输出泄漏电流-具有ESD保护的栅极-完全无铅且完全符合RoHS标准-无卤素和锑,“绿色”器件-符合AEC-Q101高可靠性标准