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NGTB35N65FL2WG
NGTB35N65FL2WG
- 描述
- 此款隔离门极双极晶体管 (IGBT) 采用坚固耐用、经济高效的场截止 II 沟槽结构，为要求苛刻的开关应用提供卓越性能，提供低导通状态电压，并最大限度降低开关损耗。此款 IGBT 非常适合 UPS 和太阳能应用。此器件集成了一个柔软、快速的组合封装续流二极管，采用低正向电压。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NGTB35N65FL2WG
- 商品编号
- C184683
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 8.638克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | FS(场截止) | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 650V | |
| 集电极电流(Ic) | 70A | |
| 耗散功率(Pd) | 300W | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | 125nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Cies) | - | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 72ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 132ns | |
| 导通损耗(Eon) | 840uJ | |
| 关断损耗(Eoff) | 280uJ | |
| 反向恢复时间(Trr) | 68ns | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃@(Tj) |