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NGTB05N60R2DT4G
NGTB05N60R2DT4G
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NGTB05N60R2DT4G
- 商品编号
- C184780
- 商品封装
- TO-252-2(DPAK)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.438克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | - | |
| 耗散功率(Pd) | 56W | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 600V | |
| 集电极电流(Ic) | 8A | |
| 集电极脉冲电流(Icm) | 20A | |
| 集电极截止电流(Ices) | - | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 1.65V | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | 30nC@15V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Cies) | 740pF | |
| 输出电容(Coes) | 30pF | |
| 反向传输电容(Cres) | 20pF | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 44ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 82ns | |
| 导通损耗(Eon) | 188uJ | |
| 关断损耗(Eoff) | 60uJ | |
| 反向恢复时间(Trr) | 70ns | |
| 工作温度 | - |
商品特性
- 反向导通 II 型 IGBT
- IGBT 集电极 - 发射极饱和电压（VCE(sat)）= 1.65V（典型值）[集电极电流（IC）= 5A，栅极 - 发射极电压（VGE）⇌ 15V]
- IGBT 下降时间（tf）= 95ns（典型值）
- 二极管正向电压（VF）= 1.5V（典型值）[正向电流（IF）= 5A]
- 二极管反向恢复时间（trr）= 70ns（典型值）
- 5μs 短路能力
应用领域
- 通用逆变器