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NGTB05N60R2DT4G
NGTB05N60R2DT4G
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NGTB05N60R2DT4G
- 商品编号
- C184780
- 商品封装
- TO-252-2(DPAK)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.438克(g)
商品参数
参数完善中
商品特性
- 反向导通 II 型 IGBT
- IGBT 集电极 - 发射极饱和电压（VCE(sat)）= 1.65V（典型值）[集电极电流（IC）= 5A，栅极 - 发射极电压（VGE）⇌ 15V]
- IGBT 下降时间（tf）= 95ns（典型值）
- 二极管正向电压（VF）= 1.5V（典型值）[正向电流（IF）= 5A]
- 二极管反向恢复时间（trr）= 70ns（典型值）
- 5μs 短路能力
应用领域
- 通用逆变器