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NGTB25N120SWG

NGTB25N120SWG

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品牌名称
onsemi(安森美)
商品型号
NGTB25N120SWG
商品编号
C184714
商品封装
TO-247-3​
包装方式
管装
商品毛重
8.638克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录IGBT管/模块
IGBT类型-
耗散功率(Pd)385W
集射极击穿电压(Vces)1.2kV
集电极电流(Ic)50A
集电极脉冲电流(Icm)100A
集电极截止电流(Ices)-
集射极饱和电压(VCE(sat))2V
栅极阈值电压(Vge(th))5.5V
栅极电荷量(Qg)178nC@15V
属性参数值
输入电容(Cies)4.42nF
输出电容(Coes)151pF
反向传输电容(Cres)81pF
开启延迟时间(Td(on))87ns
关断延迟时间(Td(off))179ns
导通损耗(Eon)1.95mJ
关断损耗(Eoff)600uJ
反向恢复时间(Trr)154ns
工作温度-55℃~+175℃

商品概述

这款绝缘栅双极型晶体管(IGBT)采用坚固且经济高效的沟槽结构,在苛刻的开关应用中表现卓越,具备低导通态电压和极小的开关损耗。该IGBT非常适合焊接应用。器件中集成了一个具有低正向电压的软快速续流二极管。

商品特性

  • 最高结温T_Jmax = 175°C
  • 软快速反向恢复二极管
  • 针对高速开关进行优化
  • 具备10μs短路能力
  • 这些是无铅器件

应用领域

焊接

数据手册PDF