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NCP5111DR2G
NCP5111DR2G
- 描述
- NCP5111 是一款高电压功率门极驱动器驱动器，提供两种输出，用于半桥配置中的 2 个 N 沟道功率 MOSFET 或 IGBT 的直接驱动。它使用自举技术来确保高压侧电源开关的正确驱动。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NCP5111DR2G
- 商品编号
- C184093
- 商品封装
- SOIC-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.6克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 栅极驱动芯片 | |
| 驱动配置 | 半桥 | |
| 负载类型 | IGBT；MOSFET | |
| 驱动通道数 | 2 | |
| 灌电流(IOL) | 500mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 拉电流(IOH) | 250mA | |
| 工作电压 | 10V~20V | |
| 上升时间(tr) | 85ns | |
| 下降时间(tf) | 35ns | |
| 工作温度 | -40℃~+125℃ |
商品概述
NCP5111是一款高压功率栅极驱动器，提供两个输出，可直接驱动以半桥配置排列的2个N沟道功率MOSFET或IGBT。它采用自举技术，以确保对高端功率开关进行适当驱动。
商品特性
- 高电压范围：高达600 V
- dV/dt抗扰度 ±50 V/nsec
- 栅极驱动电源范围为10 V至20 V
- 高低驱动输出
- 输出源/灌电流能力为250 mA / 500 mA
- 与3.3 V和5 V输入逻辑兼容
- 输入引脚可达VCC摆幅
- 为信号传播，桥接引脚允许的负电压摆幅扩展至 -10 V
- 两路通道的传播延迟匹配
- 一个输入带有内部固定死区时间（650 ns）
- 两路通道均具备欠压锁定（UVLO）功能
- 引脚与行业标准兼容
- 这些器件为无铅产品
应用领域
- 半桥功率转换器
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