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NCP5111DR2G
NCP5111DR2G
描述
NCP5111 是一款高电压功率门极驱动器驱动器，提供两种输出，用于半桥配置中的 2 个 N 沟道功率 MOSFET 或 IGBT 的直接驱动。它使用自举技术来确保高压侧电源开关的正确驱动。
- 品牌名称onsemi(安森美)
商品型号
NCP5111DR2G商品编号
C184093商品封装
SOIC-8包装方式
编带
商品毛重
0.6克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 栅极驱动芯片 | |
| 驱动配置 | 半桥 | |
| 负载类型 | MOSFET；IGBT | |
| 驱动通道数 | 2 | |
| 峰值灌电流 | 500mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 峰值拉电流 | 250mA | |
| 电源电压 | 10V~20V | |
| 上升时间 | 85ns | |
| 下降时间 | 35ns | |
| 工作温度 | -40℃~+125℃@(Tj) |
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