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DGD0280WT-7
DGD0280WT-7
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- 描述
- 能够驱动2.8A的峰值电流。逻辑输入与标准TTL和CMOS电平（低至3.3V）兼容，便于与MCU接口。内部欠压锁定（UVLO）功能可在VCC降至工作范围以下时关闭输出，保护MOSFET。快速且匹配良好的传播延迟允许高速运行，能够使用更小的相关组件实现更小巧、紧凑的功率开关设计。集成LDO，可输出3.3V电压，容差为±1%，能够提供15mA的电流。提供非反相输出。采用节省空间的TSOT25封装，工作温度范围为 -40℃至 +125℃。
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DGD0280WT-7
- 商品编号
- C1849478
- 商品封装
- TSOT-23-5
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.001克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 栅极驱动芯片 | |
| 驱动配置 | 低边 | |
| 负载类型 | IGBT；MOSFET | |
| 驱动通道数 | 1 | |
| 灌电流(IOL) | 2.8A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 拉电流(IOH) | 2.5A | |
| 工作电压 | 4.5V~18V | |
| 上升时间(tr) | 20ns | |
| 下降时间(tf) | 15ns | |
| 工作温度 | -40℃~+125℃ |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 驱动配置 | 低端 |
| 输入类型 | CMOS，TTL |
| 通道类型 | 单路 |
| 驱动器数 | 1 |
| 栅极类型 | IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET |
| 电流-峰值输出（灌入，拉出） | 2.5A，2.8A |
| 封装/外壳 | SOT-23-5 细型，TSOT-23-5 |
| 工作温度 | -40°C ~ 125°C（TA） |
| 供应商器件封装 | TSOT-25 |
| 上升/下降时间（典型值） | 20ns，15ns |
| 电压-供电 | 4.5V ~ 18V |
| 逻辑电压?-VIL，VIH | 0.8V，2V |
优惠活动
购买数量
(3000个/圆盘，最小起订量 1 个)个
起订量：1 个3000个/圆盘
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