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DGD0280WT-7
低侧单栅极驱动器，带LDO
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- 描述
- 能够驱动2.8A的峰值电流。逻辑输入与标准TTL和CMOS电平（低至3.3V）兼容，便于与MCU接口。内部欠压锁定（UVLO）功能可在VCC降至工作范围以下时关闭输出，保护MOSFET。快速且匹配良好的传播延迟允许高速运行，能够使用更小的相关组件实现更小巧、紧凑的功率开关设计。集成LDO，可输出3.3V电压，容差为±1%，能够提供15mA的电流。提供非反相输出。采用节省空间的TSOT25封装，工作温度范围为 -40℃至 +125℃。
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DGD0280WT-7
- 商品编号
- C1849478
- 商品封装
- TSOT-23-5
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.001克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 栅极驱动芯片 | |
| 驱动配置 | 低边 | |
| 负载类型 | IGBT；MOSFET | |
| 驱动通道数 | 1 | |
| 灌电流(IOL) | 2.8A | |
| 拉电流(IOH) | 2.5A | |
| 工作电压 | 4.5V~18V | |
| 上升时间(tr) | 20ns | |
| 下降时间(tf) | 15ns |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 传播延迟 tpLH | - | |
| 传播延迟 tpHL | - | |
| 特性 | 欠压保护(UVP)；过热保护(OTP) | |
| 工作温度 | -40℃~+125℃ | |
| 输入高电平(VIH) | - | |
| 输入低电平(VIL) | - | |
| 静态电流(Iq) | 250uA | |
| 功能特性 | - |
商品概述
DiODEsTM DGD0280低侧MOSFET和IGBT驱动器能够驱动2.8A的峰值电流。DGD0280逻辑输入与标准TTL和CMOS电平（低至3.3V）兼容，便于与MCU接口。内部欠压锁定（UVLO）功能在VCC降至工作范围以下时关闭输出，从而在电源丢失时保护MOSFET。快速且匹配良好的传播延迟允许高速操作，能够使用更小的相关组件实现更小、更紧凑的功率开关设计。 DGD0280集成了一个LDO，可在±1%的容差下输出3.3V电压，能够提供15mA的电流。DGD0280提供非反相输出。DGD0280采用节省空间的TSOT25封装，工作温度范围扩展至 -40°C至 +125°C。
商品特性
- 驱动MOSFET和IGBT的高效低成本解决方案
- 集成LDO（3.3V，15mA输出）
- 在+25°C时，3.3V LDO精度为1%
- 宽电源电压工作范围：4.5V至18V
- 2.5A源极/2.8A漏极输出电流能力
- Vcc电源欠压锁定
- 快速传播延迟（典型值35ns）
- 快速上升和下降时间（典型值20ns）
- 逻辑输入（IN）具备3.3V驱动能力
- 扩展温度范围： -40°C至 +125°C
- 完全无铅且完全符合RoHS标准
- 无卤素和锑的“绿色”器件
应用领域
- DC-DC转换器
- 线路驱动器
- 电机控制
- 开关模式电源