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R1LP0108ESN-5SI#S1
R1LP0108ESN-5SI#S1
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- 描述
- R1LP0108E系列是一组低压1 Mbit静态随机存取存储器（SRAM），其组织形式为131,072字×8位，采用高性能0.15μm CMOS和TFT技术制造。R1LP0108E系列实现了更高的密度、更高的性能和低功耗。
- 品牌名称
- RENESAS(瑞萨)/IDT
- 商品型号
- R1LP0108ESN-5SI#S1
- 商品编号
- C1849455
- 商品封装
- SOP-32-11.3mm
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.001克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 静态随机存取存储器(SRAM) | |
| 工作电压 | 4.5V~5.5V | |
| 读写时间 | 55ns |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 工作温度 | -40℃~+85℃ | |
| 工作电流 | 35mA | |
| 待机电流 | 10uA |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | 32-SOIC（0.450"，11.40mm 宽） |
| 工作温度 | -40°C ~ 85°C（TA） |
| 技术 | SRAM |
| 存储器格式 | SRAM |
| 供应商器件封装 | 32-SOP |
| 存储容量 | 1Mb（128K x 8） |
| 存储器类型 | 易失 |
| 存储器接口 | 并联 |
| 访问时间 | 55ns |
| 电压-供电 | 4.5V ~ 5.5V |
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