温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
HM70P04-VB
1个P沟道 耐压:40V 电流:110A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；是一款单P型场效应晶体管，采用Trench工艺制造，为不同领域的电子设备提供稳定可靠的性能支持。TO220；N—Channel沟道,-40V；-110A；RDS(ON)=4.1mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-2~-4V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- HM70P04-VB
- 商品编号
- C18212456
- 商品封装
- TO-220AB
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 3.84克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 110A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 375W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 280nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 11.3nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 1nF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.51nF |
优惠活动
购买数量
(50个/管，最小起订量 1 个)个
起订量：1 个50个/管
总价金额：
￥ 0.00近期成交12单
相似推荐
其他推荐