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AO4406A-JSM
1个N沟道 耐压:30V 电流:15A
- 描述
- 适用于各类中低电压、高效率开关应用。卓越的导通性能与低RDS(ON)，使之成为充电器、LED驱动、DC/DC转换等领域的理想选择。
- 品牌名称
- JSMSEMI(杰盛微)
- 商品型号
- AO4406A-JSM
- 商品编号
- C18189843
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.172克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 15A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 18mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 3W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 20.8nC@15V | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | - |
商品概述
AO4408是一款采用高单元密度先进沟槽技术制造的N沟道逻辑增强型功率场效应晶体管。这种高密度工艺专门用于最小化导通电阻。该器件适用于作为负载开关，或用于大多数同步降压转换器应用中的PWM和栅极电荷。
商品特性
- 30V / 15A,VGS = 10V 时,RDS(ON) = 8.5mΩ(典型值)
- 30V / 11A,VGS = 4.5V 时,RDS(ON) = 14mΩ(典型值)
- 为极低的 RDS(ON) 进行超高设计
- 出色的导通电阻和最大直流电流能力
- 完全符合 RoHS 标准
- SOP8 封装设计
应用领域
- 高频负载点同步
- 网络直流 - 直流电源系统
- 负载开关