AOD4185-JSM
1个P沟道 耐压:40V 电流:62A
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- 描述
- 专为中高压环境下消费电子设备的电源管理而设计,实现高效、稳定的开关控制,是优化系统性能的理想半导体元件。
- 品牌名称
- JSMSEMI(杰盛微)
- 商品型号
- AOD4185-JSM
- 商品编号
- C18189874
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.5928克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 62A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 22mΩ@4.5V,10A | |
| 耗散功率(Pd) | 50W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 45nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | 180pF | |
| 工作温度 | - | |
| 类型 | - | |
| 输出电容(Coss) | 180pF |
商品特性
- 先进沟槽工艺技术
- 用于超低导通电阻的高密度单元设计
