SPD02N50C3-JSM
SPD02N50C3-JSM
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- 品牌名称
- JSMSEMI(杰盛微)
- 商品型号
- SPD02N50C3-JSM
- 商品编号
- C18190172
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.3Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 24.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 13nC | |
| 输入电容(Ciss) | 400pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 1.3pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 55pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±30V |
商品概述
这款N沟道MOSFET采用先进的沟槽技术和设计,可在低栅极电荷条件下实现出色的导通电阻(RDS(on))。它可用于多种应用场景。
商品特性
- 漏源电压(VDS) = 650V,漏极电流(ID) = 5A,当栅源电压(VGS) = 10V时,导通电阻(RDS(ON)) < 2.7Ω
- 低栅极电荷
- 提供环保型器件
- 采用先进的高单元密度沟槽技术,实现超低导通电阻(RDS(ON))
- 采用散热性能良好的出色封装