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SPD02N50C3-JSM
SPD02N50C3-JSM
- 品牌名称
- JSMSEMI(杰盛微)
- 商品型号
- SPD02N50C3-JSM
- 商品编号
- C18190172
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
参数完善中
商品概述
这款N沟道MOSFET采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻（RDS(on)）。它可用于多种应用场景。
商品特性
- 漏源电压(VDS) = 650V,漏极电流(ID) = 5A,当栅源电压(VGS) = 10V时,导通电阻(RDS(ON)) < 2.7Ω
- 低栅极电荷
- 提供环保型器件
- 采用先进的高单元密度沟槽技术,实现超低导通电阻(RDS(ON))
- 采用散热性能良好的出色封装