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2SK4212A-ZK-JSM
1个N沟道 耐压:30V 电流:80A
- 描述
- 广泛应用于电池管理系统、电源转换及各类高效能电子设备中，实现卓越的功率控制与能效管理。
- 品牌名称
- JSMSEMI(杰盛微)
- 商品型号
- 2SK4212A-ZK-JSM
- 商品编号
- C18190263
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.437克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 80A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 12mΩ@4.5V,20A | |
| 耗散功率(Pd) | 46W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 33.7nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.614nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 215pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 245pF |
商品概述
8810是一款双N沟道逻辑增强型功率场效应晶体管，采用高单元密度的先进沟槽技术制造，可提供出色的导通电阻RDS(ON)。 这种高密度工艺专门用于最小化导通状态电阻。这些器件特别适用于低电压应用，并且在非常小尺寸的表面贴装封装中实现低在线功率损耗。
商品特性
- 20V/7.0A，VGS = 4.5V时，RDS(ON) = 12mΩ（典型值）
- 20V/5.5A，VGS = 2.5V时，RDS(ON) = 15mΩ（典型值）
- 专为实现极低的RDS(ON)而进行的超高设计
- 出色的导通电阻和最大直流电流承载能力
- 完全符合RoHS标准
- 静电放电（ESD）等级：2000V人体模型（HBM）
- TSSOP8封装设计
应用领域
- 笔记本电脑电源管理
- 便携式设备
- 电池供电系统
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