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AON7544-JSM
N沟道 耐压:30V 电流:54A
- 描述
- 广泛应用于电源转换、负载开关控制及电池管理系统，实现卓越的功率密度与效率表现。
- 品牌名称
- JSMSEMI(杰盛微)
- 商品型号
- AON7544-JSM
- 商品编号
- C18189915
- 商品封装
- PDFN-8L(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.07克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 54A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 29W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 39.6nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.54nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 231pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 345pF |
商品概述
这款N沟道MOSFET采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷下实现出色的导通电阻（RDS(on)）。它可用于多种应用场景。
商品特性
- 30V/54A
- 当VGS = 10V时,RDS(ON) = 4 mΩ(典型值)
- 当VGS = 4.5V时,RDS(ON) = 6.3 mΩ(典型值)
- 雪崩额定
- 100%进行UIS + Rg测试
- 可靠耐用
- 提供无铅环保器件(符合RoHS标准)
应用领域
- 笔记本电脑、便携式设备和电池供电系统的电源管理。