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AO8810-JSM
2个N沟道 耐压:20V 电流:7A
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- 描述
- N沟道,适用于DC-DC转换、低电压电源开关及负载控制应用，提供低导通电阻和出色的性能表现，是现代电子设备的理想功率管理组件。
- 品牌名称
- JSMSEMI(杰盛微)
- 商品型号
- AO8810-JSM
- 商品编号
- C18189851
- 商品封装
- TSSOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.081克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 28mΩ@1.8V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 16nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.12nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 155pF | |
| 工作温度 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.95nF |
商品概述
4132是采用高单元密度先进沟槽技术制造的N沟道增强型功率效应晶体管。 这种高密度工艺尤其能够将导通电阻降至最低。这些器件特别适用于低压应用电源管理DC - DC转换器。
商品特性
- 20V/7.0A,VGS = 4.5V时,RDS(ON) = 12mΩ(典型值)
- 20V/5.5A,VGS = 2.5V时,RDS(ON) = 15mΩ(典型值)
- 专为实现极低的RDS(ON)而进行的超高设计
- 出色的导通电阻和最大直流电流承载能力
- 完全符合RoHS标准
- 静电放电(ESD)等级:2000V人体模型(HBM)
- TSSOP8封装设计
应用领域
- 笔记本电脑电源管理
- 便携式设备
- 电池供电系统